羊城晚报全媒体记者 胡彦

10月21日，广东省人民政府办公厅印发《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024—2030年）》（以下简称《行动方案》），明确力争到2030年，广东取得10项以上光芯片领域关键核心技术突破，打造10个以上“拳头”产品，培育10家以上具有国际竞争力的一流领军企业，建设10个左右国家和省级创新平台。

《行动方案》从六大方面提出了18项重点任务，并提出关键材料装备攻关工程、产业强链补链建设工程、核心产品示范应用工程和前沿技术产业培育工程等重点工程方面的8项任务，以加快培育发展光芯片产业。

突破产业关键技术，加快中试转化进程

《行动方案》提出，强化光芯片基础研究和原始创新能力。鼓励有条件的企业、高校、科研院所等围绕单片集成、光子计算等未来前沿科学问题开展基础研究。支持科技领军企业、高校、科研院所积极承担国家级光芯片相关重大攻关任务，形成一批硬核成果。

同时，省重点领域研发计划支持光芯片技术攻关。加大对高速光通信芯片、高性能光传感芯片等方向的研发投入力度，着力解决产业链供应链的“卡点”“堵点”问题。

加大“强芯”工程对光芯片的支持力度。扩大省级科技创新战略专项、制造业当家重点任务保障专项等支持范围，将面向集成电路产业底层算法和架构技术的研发补贴、量产前首轮流片奖补等产业政策，扩展至光芯片设计自动化软件（PDA工具）、硅光MPW流片等领域，强化光芯片领域产品研发和产业化应用。

按照《行动方案》，加快建设一批概念验证中心、研发先导线和中试线。支持企业、高校、科研院所等围绕高速光通信芯片、高性能光传感芯片等领域，建设概念验证中心、研发先导线和中试线，加快科技成果转化进程。

鼓励中试平台孵化更多创新企业。鼓励中试平台搭建众创空间、孵化器、加速器等各类孵化载体，并通过许可、出售等方式将成熟技术成果转让给企业，或将部分成果通过设立子公司的方式实现商业化，孵化培养更多光芯片领域新物种企业。

建设创新平台体系，推动产业集聚发展

《行动方案》要求，聚焦前沿技术领域建设一批战略性平台。依托企业、高校、科研院所、新型研发机构等各类创新主体，布局建设一批光芯片领域共性技术研发平台，主要聚焦基础理论研究和新兴技术、颠覆性技术攻关，加快形成前沿性、交叉性、颠覆性技术原创成果，实现更多“从0到1”的突破。

同时，聚焦产业创新领域培育一批专业化平台。引进国内外战略科技力量，培育一批产业创新中心、技术创新中心、制造业创新中心、企业技术中心、工程研究中心、重点实验室等创新平台，主要聚焦光芯片关键细分环节，加快技术创新和产业孵化，不断提升细分领域产业优势。

聚焦特色优势领域打造产业集群。支持广州、深圳、珠海、东莞等地发挥半导体及集成电路产业链基础优势，结合本地区当前发展人工智能、大模型、新一代网络通信、智能网联汽车、数据中心等产业科技的需要，加快培育光通信芯片、光传感芯片等产业集群，打造涵盖设计、制造、封测等环节的光芯片全产业链，积极培育光计算芯片等未来产业。

支持各地规划建设光芯片专业园区。支持广州、深圳、珠海、东莞等地依托半导体及集成电路产业集聚区，规划建设各具特色的光芯片专业园区。

大力培育领军企业，加强合作协同创新

《行动方案》提出，支持引进和培育一批领军企业。围绕光芯片关键细分领域和产业链重点环节，引进一批汇聚全球资源、在细分领域占据引领地位的领军企业和新物种企业。支持有条件的光芯片企业围绕产业链重点环节进行并购整合，加快提升业务规模。

支持孵化和培育一批科技型初创企业。支持龙头企业与国内外企业、高等院校、研究机构联合搭建未来产业创新联合体，探索产学研协同攻关和产业链上下游联合攻关，孵化和培育一批科技型初创企业。鼓励半导体及集成电路头部企业发挥产业基础优势，延伸布局光芯片相关领域。

《行动方案》提到，积极争取国家级项目。积极对接国家集成电路战略布局，争取一批国家级光芯片项目落地广东。

积极对接港澳创新资源。加强与香港、澳门高等院校、科研院所的协同创新，对接优质科技成果、创新人才和金融资本，加快导入并形成一批技术创新和产业创新成果。

积极对接国内外其他区域创新资源。加强与京津冀、长三角等国内先进地区企业、机构交流合作，探索开展跨区域协同合作，加强导入优质研发资源和产业资源。建立与国际知名高校、研发机构、技术转移机构等各类创新主体的交流合作机制，加强技术和人员交流。

推动产业强链补链，加强光芯片设计研发

在关键材料装备攻关工程方面，《行动方案》提出，大力支持硅光材料、化合物半导体等光芯片关键材料研发制造。同时，大力推动刻蚀机、键合机、外延生长设备及光矢量参数网络测试仪等光芯片关键装备研发和国产化替代；落实工业设备更新改造政策，加快光芯片关键设备更新升级。此外，大力支持收发模块、调制器、可重构光神经网络推理器、PLC分路器、AWG光栅等光器件及光模块核心部件的研发和产业化；支持硅光集成、异质集成、磊晶生长和外延工艺、制造工艺等光芯片相关制造工艺研发和持续优化。

在产业强链补链建设工程方面，《行动方案》提到，鼓励有条件的机构对标国际一流水平；支持光芯片设计企业围绕光通信互连收发芯片、FP/DFB/EML/VCSEL激光芯片、PIN/APD探测芯片、短波红外有机成像芯片、TOF/FMCW激光雷达芯片、3D视觉感知芯片等领域加强研发和产业化布局。同时，在符合国家产业政策基础上，大力支持技术先进的光芯片IDM（设计、制造、封测一体化）、Foundry（晶圆代工）企业，加大基于硅基、锗基、化合物半导体、薄膜铌酸锂等平台材料，以及各类材料异质异构集成、多种功能光电融合的光芯片、光模块及光器件的产线和产能布局。另外，紧贴市场需求，大力发展片上集成、3D堆叠、光波器件与光芯片的共封装（CPO）以及光I/O接口等先进封装技术。

在核心产品示范应用工程方面，《行动方案》提出，大力支持光芯片在新一代信息通信、数据中心、智算中心、生物医药、智能网联汽车等产业的场景示范和产品应用。